AEC-Q101, řada: AG086FGD3HRB Jednoduché tranzistory MOSFET AG086FGD3HRBTL N-kanálový 80 A 40 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-456
- Výrobní číslo:
- AG086FGD3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Mezisoučet (2 jednotky/-ek, na pásce po 2 ks)*
104,98 Kč
(bez DPH)
127,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 + | 52,49 Kč | 104,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-456
- Výrobní číslo:
- AG086FGD3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | AG086FGD3HRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 76W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.5mm | |
| Normy/schválení | RoHS, AEC-Q101 | |
| Šířka | 6.8mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada AG086FGD3HRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 76W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.5mm | ||
Normy/schválení RoHS, AEC-Q101 | ||
Šířka 6.8mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM je navržen pro vysoce výkonné aplikace a nabízí robustní konstrukci, která zajišťuje spolehlivost a účinnost. Díky maximálnímu napětí odtoku-zdroje 40 V a schopnosti zvládnout nepřetržité proudy až 80 A je toto zařízení optimálním řešením pro automobilové systémy a další náročná prostředí. Jeho nízký odpor při zapnutí pouhých 4,1 mΩ usnadňuje minimální ztrátu výkonu během provozu, díky čemuž je obzvláště užitečný pro úkoly řízení napájení. Tento MOSFET s plnou certifikací AEC-Q101 splňuje přísné normy pro automobilový průmysl a zajišťuje konzistentní kvalitu pro náročné aplikace. Produkt podporuje efektivní rozptyl tepla, což umožňuje maximální rozptyl výkonu 76 W při zachování širokého rozsahu provozních teplot.
Nízký odpor při zapnutí 4,1 mΩ zvyšuje energetickou účinnost
Certifikace AEC Q101 zajišťuje spolehlivost pro automobilový průmysl
Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 80 A pro aplikace s vysokou zátěží
Kapacita pulzního vypouštěcího proudu dosahuje 160 A pro manipulaci s přechodovou zátěží
Podporuje napětí hradla-zdroje ±20 V pro flexibilní ovládání
Odolnost vůči lavinovému proudu pro vyšší provozní bezpečnost
Specifikace tepelného odporu pomáhá efektivnímu řízení tepla