AEC-Q101, řada: AG194FPD3HRB Jednoduché tranzistory MOSFET AG194FPD3HRBTL N-kanálový 100 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-353
- Výrobní číslo:
- AG194FPD3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
97,06 Kč
(bez DPH)
117,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 48,53 Kč | 97,06 Kč |
| 20 - 98 | 42,755 Kč | 85,51 Kč |
| 100 - 198 | 38,42 Kč | 76,84 Kč |
| 200 + | 30,19 Kč | 60,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-353
- Výrobní číslo:
- AG194FPD3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | AG194FPD3HRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 142W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Šířka | 6.8mm | |
| Délka | 10.5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada AG194FPD3HRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 142W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Šířka 6.8mm | ||
Délka 10.5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM s N-kanálem je navržen pro aplikace vyžadující robustní řízení napájení. Tato součást, která pracuje při maximálním napětí 100 V a je schopna zvládnout nepřetržité proudy až 80 A, vyniká při poskytování nízkého odporu při zapnutí, čímž minimalizuje ztráty výkonu v náročných automobilových systémech. Jeho bezolovnaté pokovení a soulad s normami RoHS zajišťují bezpečnost a spolehlivost životního prostředí. Zařízení je plně kvalifikováno podle normy AEC-Q101, díky čemuž je vhodné pro automobilové aplikace, kde je výkon a odolnost kritické. Díky schopnosti rozptylu výkonu 142 W a přísným lavínovým testům podporuje tento MOSFET spolehlivý provoz v různých vysoce výkonných obvodech.
Nabízí nízký odpor při zapnutí 6,2 mΩ pro vyšší účinnost
Jmenovitý proud nepřetržitého odběru 80 A, vhodný pro aplikace s vysokým výkonem
Nabízí přerušovací napětí 100 V, které zajišťuje odolnost proti špičkám napětí
Certifikace AEC Q101, která zajišťuje spolehlivost v automobilovém prostředí
Lavinové testování, které umožňuje bezpečný provoz za přechodných podmínek
Bez obsahu olova a v souladu s RoHS, v souladu s environmentálními normami
Ideální pro automobilové systémy, které zlepšují možnosti řízení napájení