AEC-Q101, řada: STHU60 MOSFET STHU60N046DM9AG Typ N-kanálový 54 A 600 V, HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7

Mezisoučet (1 naviják po 600 kusech)*

96 734,40 Kč

(bez DPH)

117 048,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
600 +161,224 Kč96 734,40 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
481-130
Výrobní číslo:
STHU60N046DM9AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

54A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

HU3PAK

Řada

STHU60

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

N-kanál

Výška

3.6mm

Délka

11.9mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
JP
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je založen na pokročilé technologii super-junction MDmesh DM9 a je určen pro aplikace se středním až vysokým napětím. Vyznačuje se velmi nízkým RDS(on) na plochu a integrovanou diodou s rychlou rekuperací. Technologie DM9 využívá vícedrážkový výrobní proces, který zlepšuje strukturu a výkon zařízení. Díky nízkému zotavovacímu náboji (Qrr), rychlé době zotavení (trr) a nízkému RDS(on) je tento rychle spínaný MOSFET ideální pro topologie můstků s vysokou účinností a měniče s fázovým posunem ZVS.

Nízký náboj a odpor hradla

100% lavinový test

Extrémně vysoká odolnost dv/dt

Vynikající spínací výkon díky dodatečnému kolíku řídicího zdroje

Kvalifikace AEC-Q101

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.