AEC-Q101, řada: STHU47 MOSFET STHU47N60DM6AG N-kanálový 36 A 600 V STMicroelectronics, HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 234-8901
- Výrobní číslo:
- STHU47N60DM6AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
148,69 Kč
(bez DPH)
179,91 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 350 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 148,69 Kč |
| 10 - 99 | 104,98 Kč |
| 100 - 599 | 95,10 Kč |
| 600 - 1199 | 93,86 Kč |
| 1200 + | 92,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 234-8901
- Výrobní číslo:
- STHU47N60DM6AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 36A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | HU3PAK | |
| Řada | STHU47 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení HU3PAK | ||
Řada STHU47 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh Fast kombinuje model DM6 velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších způsobů přepínání dostupných na trhu pro nejnáročnější topologie mostů s vysokou účinností a převodníky fáze řazení ZVS.
Certifikát podle normy AEC-Q101
Dioda tělesa pro rychlé obnovení
Nižší RDS (ON) na plochu oproti předchozí generaci
Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Související odkazy
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HU3PAK
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7