AEC-Q101, řada: STHU60 MOSFET Typ N-kanálový 54 A 600 V, HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 481-132
- Výrobní číslo:
- STHU60N046DM9AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
198,34 Kč
(bez DPH)
239,99 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 198,34 Kč |
| 10 - 49 | 160,55 Kč |
| 50 - 99 | 123,01 Kč |
| 100 + | 109,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 481-132
- Výrobní číslo:
- STHU60N046DM9AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 54A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | HU3PAK | |
| Řada | STHU60 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | N-kanál | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Výška | 3.6mm | |
| Délka | 11.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 54A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení HU3PAK | ||
Řada STHU60 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru N-kanál | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Výška 3.6mm | ||
Délka 11.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je založen na pokročilé technologii super-junction MDmesh DM9 a je určen pro aplikace se středním až vysokým napětím. Vyznačuje se velmi nízkým RDS(on) na plochu a integrovanou diodou s rychlou rekuperací. Technologie DM9 využívá vícedrážkový výrobní proces, který zlepšuje strukturu a výkon zařízení. Díky nízkému zotavovacímu náboji (Qrr), rychlé době zotavení (trr) a nízkému RDS(on) je tento rychle spínaný MOSFET ideální pro topologie můstků s vysokou účinností a měniče s fázovým posunem ZVS.
Nízký náboj a odpor hradla
100% lavinový test
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Vynikající spínací výkon díky dodatečnému kolíku řídicího zdroje
Kvalifikace AEC-Q101
Související odkazy
- AEC-Q101 HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: SCT MOSFET SCT060HU75G3AG Typ N-kanálový 30 A 750 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HU3PAK
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový