AEC-Q101, řada: STHU65 MOSFET STHU65N050DM9AG Typ N-kanálový 51 A 650 V, HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7
- Skladové číslo RS:
- 481-133
- Výrobní číslo:
- STHU65N050DM9AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 600 kusech)*
98 661,60 Kč
(bez DPH)
119 380,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 600 + | 164,436 Kč | 98 661,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 481-133
- Výrobní číslo:
- STHU65N050DM9AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | STHU65 | |
| Typ balení | HU3PAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | N-kanál | |
| Výška | 3.6mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Délka | 11.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada STHU65 | ||
Typ balení HU3PAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru N-kanál | ||
Výška 3.6mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Délka 11.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je postaven na špičkové technologii super-junction MDmesh DM9, která je ideální pro aplikace se středním a vysokým napětím. Nabízí velmi nízké RDS(on) na plochu a integruje diodu s rychlou rekuperací. Pokročilý proces DM9 na bázi křemíku se vyznačuje vícedrenážní strukturou, což zvyšuje celkový výkon zařízení. Díky velmi nízkému zotavovacímu náboji (Qrr), krátké době zotavení (trr) a minimálnímu RDS(on) se tento rychle spínaný tranzistor MOSFET dokonale hodí pro vysoce účinné můstkové topologie a měniče s fázovým posunem ZVS.
Nízký náboj a odpor hradla
100% lavinový test
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Vynikající spínací výkon díky dodatečnému kolíku řídicího zdroje
Kvalifikace AEC-Q101
Související odkazy
- AEC-Q101 HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový N N-kanál
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- AEC-Q101 HU3PAK, počet
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků:
- AEC-Q101 HU3PAK
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- STMicroelectronics HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový 1
- AEC-Q101 H2PAK-7 STMicroelectronics, počet kolíků: 7