AEC-Q101, řada: STHU65 MOSFET Typ N-kanálový 51 A 650 V, HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový N N-kanál
- Skladové číslo RS:
- 481-135
- Výrobní číslo:
- STHU65N050DM9AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
202,05 Kč
(bez DPH)
244,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 202,05 Kč |
| 10 - 49 | 164,01 Kč |
| 50 - 99 | 125,48 Kč |
| 100 + | 111,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 481-135
- Výrobní číslo:
- STHU65N050DM9AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | HU3PAK | |
| Řada | STHU65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | N-kanál | |
| Výška | 3.6mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Délka | 11.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení HU3PAK | ||
Řada STHU65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru N-kanál | ||
Výška 3.6mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Délka 11.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics je postaven na špičkové technologii super-junction MDmesh DM9, která je ideální pro aplikace se středním a vysokým napětím. Nabízí velmi nízké RDS(on) na plochu a integruje diodu s rychlou rekuperací. Pokročilý proces DM9 na bázi křemíku se vyznačuje vícedrenážní strukturou, což zvyšuje celkový výkon zařízení. Díky velmi nízkému zotavovacímu náboji (Qrr), krátké době zotavení (trr) a minimálnímu RDS(on) se tento rychle spínaný tranzistor MOSFET dokonale hodí pro vysoce účinné můstkové topologie a měniče s fázovým posunem ZVS.
Nízký náboj a odpor hradla
100% lavinový test
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Vynikající spínací výkon díky dodatečnému kolíku řídicího zdroje
Kvalifikace AEC-Q101
Související odkazy
- AEC-Q101 HU3PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků:
- AEC-Q101 HU3PAK, počet
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: NTH MOSFET NTHL032N065M3S Typ N-kanálový 51 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: SCT060HU MOSFET SCT060HU75G3AG Typ N-kanálový 30 A 750 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový
- řada: SCT MOSFET SCT060HU75G3AG Typ N-kanálový 30 A 750 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET + Dioda IPD60R170CFD7ATMA1 Typ N-kanálový 51 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový