AEC-Q101, řada: STHU65N1 Výkonový MOSFET STHU65N110DM9AG N kanál-kanálový 26 A 650 V STMicroelectronics, HU3PAK, počet

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

87,44 Kč

(bez DPH)

105,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 285 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 987,44 Kč
10 - 2484,72 Kč
25 - 9982,75 Kč
100 - 49970,89 Kč
500 +66,44 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
762-553
Výrobní číslo:
STHU65N110DM9AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N kanál

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

26A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

STHU65N1

Typ balení

HU3PAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Režim kanálu

N

Maximální ztrátový výkon Pd

179W

Přímé napětí Vf

1.6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

78nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

14.1mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Délka

11.9mm

Výška

0.95mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
JP
MOSFET STMicroelectronics N-kanál Super Junction Power je vysoce účinné napájecí zařízení postavené na technologii Advanced MDmesh M9 Super Junction. Je navržen pro aplikace se středním až vysokým napětím, kde jsou kritické nízké ztráty vodivosti a rychlé spínání.

Velmi nízký FOM

Vyšší kapacita dv/dt

Vynikající spínací výkon

100% lavinový test

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.