AEC-Q101, řada: STHU65N1 Výkonový MOSFET STHU65N110DM9AG N kanál-kanálový 26 A 650 V STMicroelectronics, HU3PAK, počet

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

87,44 Kč

(bez DPH)

105,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 285 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 987,44 Kč
10 - 2484,72 Kč
25 - 9982,75 Kč
100 - 49970,89 Kč
500 +66,44 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
762-553
Výrobní číslo:
STHU65N110DM9AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N kanál

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

26A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

STHU65N1

Typ balení

HU3PAK

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Režim kanálu

N

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.6V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

78nC

Maximální ztrátový výkon Pd

179W

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.95mm

Délka

11.9mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
JP
MOSFET STMicroelectronics N-kanál Super Junction Power je vysoce účinné napájecí zařízení postavené na technologii Advanced MDmesh M9 Super Junction. Je navržen pro aplikace se středním až vysokým napětím, kde jsou kritické nízké ztráty vodivosti a rychlé spínání.

Velmi nízký FOM

Vyšší kapacita dv/dt

Vynikající spínací výkon

100% lavinový test

Související odkazy