MPN

AEC-Q101, řada: STPOWER Gen3 SiC MOSFET SCT018HU65G3AG Typ N-kanálový 60 A 650 V, HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Specifikace

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	STMicroelectronics
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	60A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	HU3PAK
	Řada	STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	7
	Maximální odpor zdroje Rds	21.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	388W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	82.5nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Délka	35.9mm
	Výška	5.15mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka STMicroelectronics
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení HU3PAK
	Řada STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 7
	Maximální odpor zdroje Rds 21.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 388W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 82.5nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Délka 35.9mm
	Výška 5.15mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.