STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGHU30M65DF2AG Dvojitá brána 84 A 650 V, HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový 1
- Skladové číslo RS:
- 285-638
- Výrobní číslo:
- STGHU30M65DF2AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
73,11 Kč
(bez DPH)
88,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 550 jednotka(y) budou odesílané od 20. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 73,11 Kč |
| 10 - 99 | 65,70 Kč |
| 100 + | 62,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 285-638
- Výrobní číslo:
- STGHU30M65DF2AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 84A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 441W | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Typ balení | HU3PAK | |
| Konfigurace | Dvojitá brána | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Výška | 3.6mm | |
| Délka | 11.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 84A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 441W | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Typ balení HU3PAK | ||
Konfigurace Dvojitá brána | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Výška 3.6mm | ||
Délka 11.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Toto zařízení STMicroelectronics je IGBT vyvinuté pomocí pokročilé proprietární struktury jámové brány Fieldtop. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem. Navíc kladný teplotní koeficient VCE(sat) a úzké rozložení parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.
Maximální teplota spoje TJ = 175 °C
Minimální doba odolnosti proti zkratu 6 μs
Těsné rozdělení parametrů
Bezpečnější paralelní
Nízký tepelný odpor
Měkká a velmi rychlá antiparalelní dioda
Vynikající spínací výkon díky přídavnému kelvinovému kolíku
Související odkazy
- STMicroelectronics HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový 1
- STMicroelectronics Trenchová brána NA, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- STMicroelectronics Trenchová brána NA, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový
- STMicroelectronics HU3PAK, počet kolíků:
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT STGWA80H65DFBAG 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 HU3PAK, počet kolíků: