STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGHU30M65DF2AG Dvojitá brána 84 A 650 V, HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

58,29 Kč

(bez DPH)

70,53 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 595 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 958,29 Kč
10 - 9952,36 Kč
100 +49,89 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
285-638
Výrobní číslo:
STGHU30M65DF2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

84A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

441W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

HU3PAK

Konfigurace

Dvojitá brána

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

3.6mm

Délka

11.9mm

Šířka

14.1 mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Automobilový standard

AEC-Q101

Toto zařízení STMicroelectronics je IGBT vyvinuté pomocí pokročilé proprietární struktury jámové brány Fieldtop. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem. Navíc kladný teplotní koeficient VCE(sat) a úzké rozložení parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.

Maximální teplota spoje TJ = 175 °C

Minimální doba odolnosti proti zkratu 6 μs

Těsné rozdělení parametrů

Bezpečnější paralelní

Nízký tepelný odpor

Měkká a velmi rychlá antiparalelní dioda

Vynikající spínací výkon díky přídavnému kelvinovému kolíku

Související odkazy