STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT STGHU30M65DF2AG Dvojitá brána 84 A 650 V, HU3PAK, počet kolíků: 7 kolíkový 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

73,11 Kč

(bez DPH)

88,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 595 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 973,11 Kč
10 - 9965,70 Kč
100 +62,49 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
285-638
Výrobní číslo:
STGHU30M65DF2AG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

84A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon Pd

441W

Typ balení

HU3PAK

Konfigurace

Dvojitá brána

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

3.6mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Délka

11.9mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Toto zařízení STMicroelectronics je IGBT vyvinuté pomocí pokročilé proprietární struktury jámové brány Fieldtop. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem. Navíc kladný teplotní koeficient VCE(sat) a úzké rozložení parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelnímu provozu.

Maximální teplota spoje TJ = 175 °C

Minimální doba odolnosti proti zkratu 6 μs

Těsné rozdělení parametrů

Bezpečnější paralelní

Nízký tepelný odpor

Měkká a velmi rychlá antiparalelní dioda

Vynikající spínací výkon díky přídavnému kelvinovému kolíku

Související odkazy