STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V, NA, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 253,76 Kč

(bez DPH)

1 517,04 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 9041,792 Kč1 253,76 Kč
120 - 24040,664 Kč1 219,92 Kč
270 - 48039,578 Kč1 187,34 Kč
510 - 99039,067 Kč1 172,01 Kč
1020 +38,598 Kč1 157,94 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
192-4655
Výrobní číslo:
STGWT20H65FB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

168W

Typ balení

NA

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

HB

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
KR
Tato zařízení jsou IGBT vyvíjena pomocí Advanced proprietární brány příkopu a struktury pro zastavení pole. Zařízení je součástí nové řady IGBT HB, která představuje optimální kompromis mezi převodními a spínacími ztrátami pro maximalizaci účinnosti jakéhokoli frekvenčního měniče. Navíc mírně kladný teplotní koeficient VCE(SAT)a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelačnímu provozu.

Maximální propojovací teplota: TJ = 175 °C.

Řada přepínačů s vysokou rychlostí

Minimalizovaný zbytkový proud

VCE(Sat)= 1,55 v (typ.) při IC= 20 A.

Přesné rozdělení parametrů

Bezpečný paralelní chod

Nízký tepelný odpor

Bezolovnací balení

Související odkazy