STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT STGFW30V60DF Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3PF, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

168,45 Kč

(bez DPH)

203,824 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 30 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 884,225 Kč168,45 Kč
10 - 1880,03 Kč160,06 Kč
20 - 4872,00 Kč144,00 Kč
50 - 9864,715 Kč129,43 Kč
100 +61,38 Kč122,76 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
792-5779
Výrobní číslo:
STGFW30V60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Typ balení

TO-3PF

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

5.7 mm

Výška

26.7mm

Řada

V

Normy/schválení

ECOPACK

Délka

15.7mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed