STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT STGW30H60DFB Typ N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

139,31 Kč

(bez DPH)

168,566 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 102 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 869,655 Kč139,31 Kč
10 - 1866,445 Kč132,89 Kč
20 - 4859,525 Kč119,05 Kč
50 - 9853,475 Kč106,95 Kč
100 +51,005 Kč102,01 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
860-7450
Výrobní číslo:
STGW30H60DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

HB

Výška

20.15mm

Délka

15.75mm

Šířka

5.15 mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed