STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT Typ N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 557,33 Kč

(bez DPH)

1 884,36 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 90 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3051,911 Kč1 557,33 Kč
60 - 12050,561 Kč1 516,83 Kč
150 +49,318 Kč1 479,54 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-8808
Výrobní číslo:
STGW30H60DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

15.75mm

Šířka

5.15 mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

HB

Výška

20.15mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy