STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT N-kanálový 30 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Skladové číslo RS:
- 168-8808
- Výrobní číslo:
- STGW30H60DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (30 jednotky/-ek, do tubusu po 30 ks)*
1 456,56 Kč
(bez DPH)
1 762,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | 48,552 Kč | 1 456,56 Kč |
| 300 - 720 | 47,951 Kč | 1 438,53 Kč |
| 750 + | 47,366 Kč | 1 420,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-8808
- Výrobní číslo:
- STGW30H60DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Typ produktu | Trenchová brána, field-stope IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 600V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 260W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 20.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Řada | HB | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Typ produktu Trenchová brána, field-stope IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 600V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 260W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 20.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Řada HB | ||
Šířka 5.15mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-247, počet kolíků: 3
- STMicroelectronics Trenchová brána NA, počet kolíků: 3
- STMicroelectronics Trenchová brána NA, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-3PF, počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-252, počet kolíků: 3
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-3PF, počet kolíků: 3
- STMicroelectronics Trenchová brána TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- ROHM TO-263L, počet