STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT STGD5H60DF Typ N-kanálový 10 A 600 V, TO-252, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
906-2798
Výrobní číslo:
STGD5H60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

10A

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

88W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.95V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.6mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

H

Výška

2.4mm

Jmenovitá energie

221mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.