STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT STGD5H60DF Typ N-kanálový 10 A 600 V, TO-252, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

194,14 Kč

(bez DPH)

234,91 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4019,414 Kč194,14 Kč
50 - 9018,402 Kč184,02 Kč
100 - 24016,574 Kč165,74 Kč
250 - 49014,944 Kč149,44 Kč
500 +14,203 Kč142,03 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
906-2798
Výrobní číslo:
STGD5H60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

10A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

88W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.95V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.6mm

Výška

2.4mm

Šířka

6.2 mm

Řada

H

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

221mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy