STMicroelectronics Trenchová brána, field-stope IGBT Typ N-kanálový 60 A 600 V, TO-3PF, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 645,02 Kč

(bez DPH)

1 990,47 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 30 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3054,834 Kč1 645,02 Kč
60 - 12052,101 Kč1 563,03 Kč
150 - 27046,881 Kč1 406,43 Kč
300 +46,617 Kč1 398,51 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-7090
Výrobní číslo:
STGFW30V60DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

Trenchová brána, field-stope IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

60A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Typ balení

TO-3PF

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

26.7mm

Normy/schválení

ECOPACK

Řada

V

Šířka

5.7 mm

Délka

15.7mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
KR

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed