řada: IGT65 MOSFET IGT65R045D2ATMA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-968
- Výrobní číslo:
- IGT65R045D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
190,68 Kč
(bez DPH)
230,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 980 jednotka(y) budou odesílané od 25. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 190,68 Kč |
| 10 - 99 | 171,67 Kč |
| 100 - 499 | 158,33 Kč |
| 500 - 999 | 146,72 Kč |
| 1000 + | 131,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-968
- Výrobní číslo:
- IGT65R045D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 38A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IGT65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.054Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 131W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 38A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IGT65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.054Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 131W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolGaN je vysoce účinný tranzistor z nitridu galia (GaN) určený pro konverzi energie. Umožňuje vyšší hustotu napájení, podporuje snížení pořizovacích nákladů systému a usnadňuje miniaturizované form faktory. Vyrábí se pomocí technologie waferů a plně automatizovaných výrobních linek, vyznačuje se úzkými výrobními tolerancemi a nejvyšší kvalitou výrobků. Díky tomu je vhodný pro širokou škálu aplikací, od spotřební elektroniky až po průmyslové aplikace.
Tranzistor s vylepšeným režimem
Velmi rychlé přepínání
Žádný poplatek za zpětné vymáhání
Schopnost zpětného vedení
Nízký hradlový a výstupní náboj
Vynikající robustnost komutace
Související odkazy
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R140D2ATMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R025D2ATMA1 N-kanálový 70 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 N-kanálový 196 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R048M1HXUMA1 N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R057M1HXUMA1 N-kanálový 44 A 650 V Infineon počet kolíků: 8