řada: IGT65 MOSFET IGT65R025D2ATMA1 N-kanálový 70 A 650 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-969
- Výrobní číslo:
- IGT65R025D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
290,97 Kč
(bez DPH)
352,07 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 945 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 290,97 Kč |
| 10 - 99 | 261,82 Kč |
| 100 + | 241,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-969
- Výrobní číslo:
- IGT65R025D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 70A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IGT65 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.03Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 236W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 70A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IGT65 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.03Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 236W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady IGT65, zdrojové napětí vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 70 A – IGT65R025D2ATMA1
Tento MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor navržený pro náročné průmyslové prostředí. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je dodáván v pouzdru pro povrchovou montáž, které je vhodné pro kompaktní desky. Zařízení je určeno pro převod napájení a spínání, kde je vyžadována vysoká tolerance napětí a robustní manipulace s nepřetržitým proudem.
Charakteristiky a výhody:
• Odolnost proti vypouštění 650 V pro vysokonapěťové spínací aplikace
• Možnost nepřetržitého vypouštění 70 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• 0.03 Ω Rds(on) pro nižší ztráty při vedení
• Maximální ztrátový výkon 236 W pro tepelnou kapacitu
• Typické náboje hradla 11 nC pro rychlejší přepínání
• Jmenovitá hodnota hradla 10 V kompatibilní se standardními napětími pohonu hradla
• Možnost nepřetržitého vypouštění 70 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• 0.03 Ω Rds(on) pro nižší ztráty při vedení
• Maximální ztrátový výkon 236 W pro tepelnou kapacitu
• Typické náboje hradla 11 nC pro rychlejší přepínání
• Jmenovitá hodnota hradla 10 V kompatibilní se standardními napětími pohonu hradla
Aplikace
• Ideální pro průmyslové spínané napájecí zdroje a měniče
• Vhodné pro stupně řízení motoru ve vysokonapěťových systémech
• Používá se s vysokonapěťovými měniči DC/DC pro převod energie
• Lze použít pro pevně přepínané topologie v výkonové elektronice
• Vhodné pro telekomunikační rozvod napájení a pomocné zdroje
• Vhodné pro stupně řízení motoru ve vysokonapěťových systémech
• Používá se s vysokonapěťovými měniči DC/DC pro převod energie
• Lze použít pro pevně přepínané topologie v výkonové elektronice
• Vhodné pro telekomunikační rozvod napájení a pomocné zdroje
Jaký typ pouzdra se používá a jak to ovlivňuje montáž desky?
Zařízení je dodáváno v pouzdru pro povrchovou montáž PG-HSOF-8, které usnadňuje automatizované pájení přetavením a kompaktní uspořádání PCB a zároveň poskytuje více tepelných a elektrických vodičů.
Jaké úvahy o pohonu hradla je třeba vzít v úvahu pro spolehlivý provoz?
Udržujte pohon hradla v rozsahu ±10 V a zajistěte nízkoimpedanční návratnou cestu pro minimalizaci přechodových stavů při spínání a zajištění předvídatelného časování zapnutí a vypnutí.
Jak rozsah teplot ovlivňuje umístění?
Jmenovitý provozní rozsah od -55 °C do 150 °C umožňuje umístění v průmyslových skříních se studeným startem i s vysokou teplotou bez zhoršení základní spínací schopnosti.
Jaké strategie řízení teploty se doporučují pro nepřetržitý provoz?
Použijte odpovídající měděnou plochu nebo vyhrazený chladič pod pouzdrem, zajistěte dobré tepelné dráhy PCB a zvažte průtok vzduchu pro udržení teploty spoje v bezpečných mezích.
Související odkazy
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R140D2ATMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R045D2ATMA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMT65R107M1HXUMA1 N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT Výkonový tranzistor N-kanálový 52 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 N-kanálový 196 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 8