řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 Typ N-kanálový 196 A 650 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 284-713
- Výrobní číslo:
- IMT65R022M1HXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
378 800,00 Kč
(bez DPH)
458 340,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 + | 189,40 Kč | 378 800,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-713
- Výrobní číslo:
- IMT65R022M1HXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 196A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 196A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- AT
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 představuje významný pokrok v oblasti výkonové elektroniky, který je navržen s využitím špičkové technologie karbidu křemíku pro zvýšení výkonu a spolehlivosti. Toto inovativní zařízení se může pochlubit optimalizovanými spínacími vlastnostmi, které umožňují dosáhnout vysoké účinnosti v náročných aplikacích. Vyniká v náročných prostředích a nabízí vyšší tepelnou odolnost a spolehlivost než tradiční křemíková zařízení. Jeho všestrannost umožňuje bezproblémovou integraci do různých systémů, včetně telekomunikací, obnovitelných zdrojů energie a nabíjení elektrických vozidel. Je navržen pro výjimečnou správu tepla a zajišťuje dlouhodobý výkon při současném snížení celkové plochy systému. MOSFET CoolSiC je ideálním řešením pro moderní konverzi energie, které podporuje úsilí o energeticky efektivní a kompaktní konstrukce.
Optimalizované spínání pro efektivitu systému
Kompatibilní se standardními konfiguracemi ovladačů
Účinné v prostředí s vysokou teplotou
Snížení spínacích ztrát pomocí Kelvinova zdroje
Spolehlivá konstrukce rychlé diody
Podporuje topologie s tvrdou komutací
Zvyšuje efektivitu a snižuje náklady
Kvalifikace podle standardů JEDEC
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 Typ N-kanálový 196 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R083M1HXUMA1 Typ N-kanálový 59 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 Typ N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R048M1HXUMA1 Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 Typ N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R057M1HXUMA1 Typ N-kanálový 44 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R072M1HXUMA1 N-kanálový 36 A 650 V počet kolíků: 8 SiC
- řada: CoolSiC MOSFET IMT65R107M1HXUMA1 Typ N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení