řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 N-kanálový 61 A 650 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 284-718
- Výrobní číslo:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
241 880,00 Kč
(bez DPH)
292 680,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 + | 120,94 Kč | 241 880,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-718
- Výrobní číslo:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 61A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 51mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 263W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 61A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 51mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 263W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 je průkopnické výkonové zařízení, které poskytuje výjimečný výkon díky využití pokročilých vlastností technologie karbidu křemíku. Tento tranzistor MOSFET je navržen pro vysokou účinnost a spolehlivost a vyniká v aplikacích vyžadujících vynikající tepelnou stabilitu a vysoký výkon v náročných podmínkách. Díky inovativní struktuře oxidu hradla a vynikajícím spínacím vlastnostem výrazně snižuje ztráty při vyšších proudech a zajišťuje dlouhou životnost a bezpečnost v různých elektrických prostředích. MOSFET CoolSiC je dokonale vhodný pro aplikace, jako jsou napájecí systémy, infrastruktura pro nabíjení elektromobilů a řešení pro obnovitelné zdroje energie, a představuje univerzální řešení, které splňuje náročné požadavky moderní výkonové elektroniky. Tento přístroj je důkazem více než 20leté inženýrské dokonalosti a slouží jako robustní základ pro energetická řešení nové generace.
Optimalizované přepínání zvyšuje výkon
Robustní dioda v těle zajišťuje spolehlivou komutaci
Vynikající tepelný management prodlužuje životnost
Efektivní provoz při zvýšených teplotách
Bezproblémová integrace se standardními ovladači
Kelvinův zdroj snižuje spínací ztráty
Splňuje standardy JEDEC pro spolehlivost
Všestrannost pro vyšší hustotu výkonu v konstrukcích
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 N-kanálový 196 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R048M1HXUMA1 N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R057M1HXUMA1 N-kanálový 44 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET IMT65R107M1HXUMA1 N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R140D2ATMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení