řada: IGT65 MOSFET IGT65R140D2ATMA1 N-kanálový 13 A 650 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 351-965
- Výrobní číslo:
- IGT65R140D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
449,05 Kč
(bez DPH)
543,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 89,81 Kč | 449,05 Kč |
| 50 - 95 | 85,314 Kč | 426,57 Kč |
| 100 + | 79,09 Kč | 395,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 351-965
- Výrobní číslo:
- IGT65R140D2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | IGT65 | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.17Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 47W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada IGT65 | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.17Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 47W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolGaN je vysoce účinný tranzistor z nitridu galia (GaN) určený pro konverzi energie. Umožňuje vyšší hustotu napájení, podporuje snížení pořizovacích nákladů systému a usnadňuje miniaturizované form faktory. Vyrábí se pomocí technologie waferů a plně automatizovaných výrobních linek, vyznačuje se úzkými výrobními tolerancemi a nejvyšší kvalitou výrobků. Díky tomu je vhodný pro širokou škálu aplikací, od spotřební elektroniky až po průmyslové aplikace.
Tranzistor s vylepšeným režimem
Velmi rychlé přepínání
Žádný poplatek za zpětné vymáhání
Schopnost zpětného vedení
Nízký hradlový a výstupní náboj
Vynikající robustnost komutace
Související odkazy
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R055D2ATMA1 N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R025D2ATMA1 N-kanálový 70 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IGT65 MOSFET IGT65R045D2ATMA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMT65R107M1HXUMA1 N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT Výkonový tranzistor N-kanálový 52 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 N-kanálový 196 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 8