řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R024M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 2000 V Infineon,
- Skladové číslo RS:
- 284-862
- Výrobní číslo:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
20 665,02 Kč
(bez DPH)
25 004,67 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 30 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 + | 688,834 Kč | 20 665,02 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-862
- Výrobní číslo:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 89A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 2000V | |
| Řada | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Typ balení | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 576W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 137nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 89A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 2000V | ||
Řada CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Typ balení PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 576W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 137nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET představuje špičkové řešení určené pro vysoce výkonné aplikace. Díky pokročilé technologii propojení .XT zajišťuje optimální tepelnou správu a účinnost, takže je ideální pro náročná prostředí. Díky robustní diodě v těle vyniká MOSFET v náročných komutačních podmínkách a zajišťuje spolehlivý provoz v různých aplikacích, včetně řetězových měničů a nabíjecích systémů pro elektromobily. Jeho působivé specifikace, včetně trvalého odběrového proudu až 89 A, podtrhují jeho schopnost zvládnout značné výkonové zatížení, zatímco jeho nízké spínací ztráty přispívají k celkové účinnosti systému. Toto zařízení bylo důkladně ověřeno pro průmyslové aplikace, což zaručuje dodržování průmyslových norem a spolehlivost.
Pracuje při vysokém napětí 2000 V
Velmi nízký stavový odpor pro zvýšení účinnosti
Srovnávací prahové napětí hradla pro výkon
Robustní provoz s dobře navrženou diodou v těle
Ověřeno pro průmyslové použití prostřednictvím testování JEDEC
Podporuje optimální tepelný výkon díky konstrukci
Související odkazy
- řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R024M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 2000 V Infineon,
- řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R012M1HXKSA1 Typ N-kanálový 60 A 2000 V Infineon,
- řada: CoolSiC Trench MOSFET MOSFET F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Typ N-kanálový 100 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC Trench MOSFET MOSFET FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V, EasyDUAL Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R016M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO247-4, počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R100M1HXKSA1 Typ N-kanálový 26 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R075M1HXKSA1 Typ N-kanálový 34 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4