řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R100M1HXKSA1 N-kanálový 26 A 2 kV Infineon, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-114
- Výrobní číslo:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
404,34 Kč
(bez DPH)
489,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 47 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 05. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 404,34 Kč |
| 10 - 99 | 364,08 Kč |
| 100 + | 335,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-114
- Výrobní číslo:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 26A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 2kV | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 142mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 217W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 26A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 2kV | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 142mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 217W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady CoolSiC, zdrojové napětí vypouštění 2000 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 26 A – IMYH200R100M1HXKSA1
Tento MOSFET je N-kanálové vylepšovací zařízení z karbidu křemíku určené pro vysokonapěťové spínání v náročných elektronických systémech. Poskytuje robustní řešení pro převod nebo řízení velkých napětí a proudů v implementacích s průchozím otvorem, pracující v rozšířeném rozsahu okolních teplot pro použití v náročných prostředích.
Charakteristiky a výhody:
• Odolnost proti odtoku 2000 V od zdroje zjednodušuje vysokonapěťové konstrukce
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 26 A podporuje trvalé napájení
• Maximální ztrátový výkon 217 W pomáhá při plánování tepelné marže
• Rds(on) 142 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typický náboj hradla 55 nC umožňuje zvládnout energii pohonu
• Pouzdro PG-TO-247-4-PLUS-NT14 s průchozím otvorem usnadňuje montáž a chlazení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 26 A podporuje trvalé napájení
• Maximální ztrátový výkon 217 W pomáhá při plánování tepelné marže
• Rds(on) 142 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typický náboj hradla 55 nC umožňuje zvládnout energii pohonu
• Pouzdro PG-TO-247-4-PLUS-NT14 s průchozím otvorem usnadňuje montáž a chlazení
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro výkonové stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s obvody pro ukládání energie a rozhraní síťových vazeb
• Lze použít pro vysokonapěťové testovací a měřicí zařízení
• Vhodné pro moduly tažné a náročné výkonové elektroniky
• Ideální pro výkonové stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s obvody pro ukládání energie a rozhraní síťových vazeb
• Lze použít pro vysokonapěťové testovací a měřicí zařízení
• Vhodné pro moduly tažné a náročné výkonové elektroniky
Jaké jmenovité napětí a polaritu by měli konstruktéři očekávat při spínání?
Zařízení je určeno pro odolnost vůči napětí 2000 V mezi vypouštěním a zdrojem a je konfigurováno jako tranzistor s N-kanálem, takže konstrukce musí zohledňovat odolnost vůči vysokému napětí a příslušnou referenci pohonu hradla.
Jak ovlivňuje energie pohonu hradla výběr ovladače hradla?
S typickým nábojem hradla 55 nC by se měli vybírat ovladače hradla, které dodávají dostatečný špičkový proud pro dosažení požadované spínací rychlosti při řízení dv/dt pro omezení elektromagnetického namáhání.
Jaké tepelné parametry jsou pro spolehlivý provoz nezbytné?
Součást rozptyluje až 217 W za specifikovaných podmínek, takže tepelná správa včetně chladicího chladiče a tepelné vodivosti PCB musí být navržena tak, aby udržovala teploty spoje v mezích.
Jaký způsob montáže balení podporuje a jaké jsou důsledky?
Formát průchozího otvoru PG-TO-247-4-PLUS-NT14 usnadňuje mechanickou stabilitu a přímé upevnění chladičem, což zjednodušuje montáž pro aplikace s vysokým výkonem.
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R075M1HXKSA1 N-kanálový 34 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R050M1HXKSA1 N-kanálový 48 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA120R030M1HXKSA1 N-kanálový 70 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q100 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R120M1TXKSA1 N-kanálový 22 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R060M1TXKSA1 N-kanálový 38 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R160M1TXKSA1 N-kanálový 17 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R040M1TXKSA1 N-kanálový 55 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R080M1TXKSA1 N-kanálový 31 A 1200 V Infineon