řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R050M1HXKSA1 N-kanálový 48 A 2 kV Infineon, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-111
- Výrobní číslo:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
554,27 Kč
(bez DPH)
670,67 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 240 jednotka(y) budou odesílané od 24. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 554,27 Kč |
| 10 - 99 | 499,19 Kč |
| 100 + | 459,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-111
- Výrobní číslo:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 48A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 2kV | |
| Typ balení | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 348W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 82nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 48A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 2kV | ||
Typ balení PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 348W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 82nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET Infineon řady CoolSiC, maximální zdrojové napětí vypouštění 2000 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 48 A – IMYH200R050M1HXKSA1
Tento MOSFET je výkonový karbid křemíku určený pro vysokonapěťové spínání v náročných elektrických systémech. Funguje jako vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro montáž na desku s průchozím otvorem a je vhodné pro aplikace vyžadující vysokou teplotní toleranci a velkou nepřetržitou manipulaci s proudem.
Charakteristiky a výhody:
• Vypínací napětí 2000 V umožňuje spínání při vysokém napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 48 A podporuje provoz s vysokou zátěží
• 70 mΩ Rds(on) minimalizuje ztráty při vedení při spínání
• Typické náboje hradla 82 nC umožňuje předvídatelnou konstrukci pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 348 W zvládá významné tepelné zatížení
• Pouzdro PG-TO-247-4-PLUS-NT14 s průchozím otvorem zjednodušuje chlazení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 48 A podporuje provoz s vysokou zátěží
• 70 mΩ Rds(on) minimalizuje ztráty při vedení při spínání
• Typické náboje hradla 82 nC umožňuje předvídatelnou konstrukci pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 348 W zvládá významné tepelné zatížení
• Pouzdro PG-TO-247-4-PLUS-NT14 s průchozím otvorem zjednodušuje chlazení
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro výkonové stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s vysokonapěťovými obvody pro nabíjení kondenzátorů
• Lze použít pro převod DC/DC v elektrických zařízeních
• Vhodné pro laboratorní vyhodnocovací desky napájecí elektroniky
• Ideální pro výkonové stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s vysokonapěťovými obvody pro nabíjení kondenzátorů
• Lze použít pro převod DC/DC v elektrických zařízeních
• Vhodné pro laboratorní vyhodnocovací desky napájecí elektroniky
Jaké limity pohonu hradla je třeba dodržovat pro bezpečný provoz?
Napětí hradla-zdroje nesmí překročit 20 V
ovladače hradla jsou navrženy tak, aby zůstaly v rámci této prahové hodnoty včetně potlačení přechodových jevů.
Jak se chová při zvýšených teplotách?
Je určeno pro provoz při teplotě spoje až 175 °C
by mělo tepelné řízení zohlednit specifikovaný maximální ztrátový výkon, aby se zabránilo tepelnému úniku.
Jaké montážní úvahy jsou nutné pro regulaci teploty?
Pouzdro se čtyřmi kolíky PG-TO-247-4-PLUS-NT14 s průchozím otvorem umožňuje robustní mechanické upevnění a přímé propojení s chladičem pro efektivní odvod tepla.
Existují omezení okolního provozního rozsahu?
Zařízení je specifikováno pro minimální provozní teplotu až -55 °C, takže konstrukce musí vyhovovat této dolní hranici pro scénáře studeného startu.
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R075M1HXKSA1 N-kanálový 34 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R100M1HXKSA1 N-kanálový 26 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA120R030M1HXKSA1 N-kanálový 70 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q100 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R120M1TXKSA1 N-kanálový 22 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R060M1TXKSA1 N-kanálový 38 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R160M1TXKSA1 N-kanálový 17 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R040M1TXKSA1 N-kanálový 55 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R080M1TXKSA1 N-kanálový 31 A 1200 V Infineon