řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R050M1HXKSA1 Typ N-kanálový 48 A 2000 V Infineon, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 349-111
- Výrobní číslo:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
766,69 Kč
(bez DPH)
927,69 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 240 jednotka(y) budou odesílané od 19. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 766,69 Kč |
| 10 - 99 | 690,37 Kč |
| 100 + | 636,27 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-111
- Výrobní číslo:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 48A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 2000V | |
| Typ balení | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 348W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 48A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 2000V | ||
Typ balení PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 348W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET je vysoce výkonný karbid křemíku MOSFET s technologií propojení .XT pro lepší tepelný a elektrický výkon. Díky referenčnímu prahovému napětí hradla (VGS(th)) 4,5 V nabízí spolehlivé a účinné spínání, takže je ideální pro vysokonapěťové výkonové aplikace. Tento tranzistor MOSFET poskytuje vynikající výkon, zajišťuje vynikající účinnost a robustní provoz i v náročných podmínkách.
Velmi nízké spínací ztráty
Robustní tělesová dioda pro tvrdou komutaci
V souladu s RoHS
Bez obsahu halogenů
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R100M1HXKSA1 Typ N-kanálový 26 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMYH200R075M1HXKSA1 Typ N-kanálový 34 A 2000 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA120R030M1HXKSA1 Typ N-kanálový 70 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R020M2HXKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R015M2HXKSA1 Typ N-kanálový 93 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R050M2HXKSA1 Typ N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R1K0M1XKSA1 Typ N-kanálový 5.4 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3