AEC-Q101, řada: CoolSiC MOSFET AIMZA75R016M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 750 V Infineon, PG-TO247-4, počet kolíků: 4
- Skladové číslo RS:
- 348-938
- Výrobní číslo:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
737,53 Kč
(bez DPH)
892,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 737,53 Kč |
| 10 - 99 | 663,69 Kč |
| 100 + | 612,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-938
- Výrobní číslo:
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 89A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 750V | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | PG-TO247-4 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 319W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 89A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 750V | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení PG-TO247-4 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 319W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon 750 V CoolSiC je postaven na technologii pevného karbidu křemíku, která byla ve společnosti Infineon vyvinuta před více než 20 lety. Díky využití vlastností materiálu SiC se širokým pásmem nabízí 750V CoolSiC MOSFET jedinečnou kombinaci výkonu, spolehlivosti a snadného použití. Je vhodný pro vysoké teploty a náročné provozy a umožňuje zjednodušené a nákladově efektivní nasazení nejvyšší účinnosti systému.
Vlastní technologie společnosti Infineon
Dostupný zdrojový kolík ovladače
Zvýšená odolnost a spolehlivost pro sběrnice s napětím vyšším než 500 V
Vynikající účinnost při tvrdém přepínání
Vyšší spínací frekvence v topologiích s měkkým spínáním
Odolnost proti parazitnímu zapnutí při unipolárním řízení hradla
Snížení spínacích ztrát díky lepšímu řízení hradel
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R016M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R027M1HXKSA1 Typ N-kanálový 60 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R040M1HXKSA1 Typ N-kanálový 44 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R090M1HXKSA1 Typ N-kanálový 23 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R140M1HXKSA1 Typ N-kanálový 16 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R060M1HXKSA1 Typ N-kanálový 32 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R020M1HXKSA1 Typ N-kanálový 75 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO247-4, počet kolíků: 4
