řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R027M1HXKSA1 N-kanálový 60 A 750 V Infineon, PG-TO247-4, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-341
- Výrobní číslo:
- IMZA75R027M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 429,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
426,57 Kč
(bez DPH)
516,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 240 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 426,57 Kč | - |
| 10 - 99 | 383,59 Kč | 429,80 Kč |
| 100 + | 353,70 Kč | 7 287,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-341
- Výrobní číslo:
- IMZA75R027M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 750V | |
| Typ balení | PG-TO247-4 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 36mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 234W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 49nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 750V | ||
Typ balení PG-TO247-4 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 36mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 234W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Napájecí zařízení Infineon 750 V CoolSiC G1 je postaveno na technologii pevného karbidu křemíku společnosti Infineon, která byla vyvíjena více než 20 let. Díky využití jedinečných vlastností materiálů SiC se širokou pásmovou propustí poskytuje 750V CoolSiC MOSFET jedinečnou kombinaci výkonu, spolehlivosti a snadného použití. Je speciálně navržen pro vysoké teploty a náročné provozní podmínky, což umožňuje zjednodušené a nákladově efektivní nasazení systémů s nejvyšší účinností. Tento MOSFET je ideální pro aplikace vyžadující robustní výkon a energeticky úsporná řešení.
Zvýšená odolnost a spolehlivost pro sběrnice s napětím vyšším než 500 V
Vynikající účinnost při tvrdém přepínání
Vyšší spínací frekvence v topologiích s měkkým spínáním
Odolnost proti parazitnímu zapnutí při unipolárním řízení hradla
Snížení spínacích ztrát díky lepšímu řízení hradel
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R016M1HXKSA1 N-kanálový 89 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R040M1HXKSA1 N-kanálový 44 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R020M1HXKSA1 N-kanálový 75 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R140M1HXKSA1 N-kanálový 16 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R060M1HXKSA1 N-kanálový 32 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R090M1HXKSA1 N-kanálový 23 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R040M2HXKSA1 N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R050M2HXKSA1 N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení