řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 Typ N-kanálový 142 A 650 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 284-717
- Výrobní číslo:
- IMT65R030M1HXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
241,32 Kč
(bez DPH)
292,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 241,32 Kč |
| 10 - 99 | 217,36 Kč |
| 100 + | 200,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-717
- Výrobní číslo:
- IMT65R030M1HXUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 142A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 294W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 142A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 294W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 je navržen pro moderní požadavky vysoce výkonných aplikací a nabízí robustní řešení v kompaktním balení. Toto polovodičové zařízení je navrženo na základě špičkové technologie pevného karbidu křemíku a spojuje v sobě výjimečnou spolehlivost a účinnost, takže je ideální pro širokou škálu aplikací, jako jsou solární střídače, infrastruktura pro nabíjení elektromobilů a zdroje nepřerušovaného napájení. S důrazem na jednoduchost a nákladovou efektivitu zvyšuje výkon systému a zároveň zajišťuje vynikající tepelnou stabilitu v náročných prostředích. Toto zařízení zaručuje nejen výkon, ale také bezproblémovou integraci do různých konstrukcí a nově definuje možnosti správy napájení.
Optimalizované přepínání zvyšuje provozní efektivitu
Robustní dioda v těle podporuje pokročilé aplikace
Výjimečný tepelný výkon v extrémních podmínkách
Kelvinův zdroj snižuje spínací ztráty
Vysoká lavinová odolnost systému
Kompatibilita se standardními ovladači pro snadnou integraci
Kompaktní konstrukce zvyšuje hustotu výkonu
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R030M1HXUMA1 Typ N-kanálový 142 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R083M1HXUMA1 Typ N-kanálový 59 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R039M1HXUMA1 Typ N-kanálový 61 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R048M1HXUMA1 Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R022M1HXUMA1 Typ N-kanálový 196 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R057M1HXUMA1 Typ N-kanálový 44 A 650 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R072M1HXUMA1 N-kanálový 36 A 650 V počet kolíků: 8 SiC
- řada: CoolSiC MOSFET IMT65R107M1HXUMA1 Typ N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení