řada: IPT Výkonový MOSFET IPT60R016CM8XTMA1 N-kanálový 142 A 600 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-256
- Výrobní číslo:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
418,42 Kč
(bez DPH)
506,29 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 828 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 418,42 Kč |
| 10 - 99 | 376,92 Kč |
| 100 + | 347,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-256
- Výrobní číslo:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 142A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPT | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 171nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 694W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 142A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPT | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 171nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 694W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon řady IPT, napětí zdroje vypouštění 600 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 142 A – IPT60R016CM8XTMA1
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a převod výkonu v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je dodáván v kompaktním pouzdru pro povrchovou montáž pro integraci na obsazené desky, kde je vyžadována robustní tepelná a proudová manipulace.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota 600 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Rds(on) 16 mΩ snižuje ztráty při vedení při velkém zatížení
• Stejnosměrný proud 142 A podporuje vysokoproudé napájecí stupně
• Typické nabití hradla 171 nC umožňuje rychlejší přechod mezi pohony hradla
• Maximální ztrátový výkon 694 W pomáhá při plánování tepelné marže
• Tolerance hradla 30 V podporuje flexibilní napětí hradla
• Rds(on) 16 mΩ snižuje ztráty při vedení při velkém zatížení
• Stejnosměrný proud 142 A podporuje vysokoproudé napájecí stupně
• Typické nabití hradla 171 nC umožňuje rychlejší přechod mezi pohony hradla
• Maximální ztrátový výkon 694 W pomáhá při plánování tepelné marže
• Tolerance hradla 30 V podporuje flexibilní napětí hradla
Aplikace
• Vhodné pro fázové měniče průmyslových motorů
• Ideální pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Používá se s rezonančními a pevně spínanými topologií SMPS
• Lze použít pro trakční a náročné systémy DC-DC
• Vhodné pro rozvod napájení na úrovni desky a spínání
• Ideální pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Používá se s rezonančními a pevně spínanými topologií SMPS
• Lze použít pro trakční a náročné systémy DC-DC
• Vhodné pro rozvod napájení na úrovni desky a spínání
Jaké pouzdro a montážní metodu používá pro montáž PCB?
Dodává se v pouzdru PG-HSOF-8 určeném pro montáž na povrch, aby se usnadnila automatizovaná montáž a tepelná vedení do desky.
Jak se chová při extrémních teplotách?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což podporuje aplikace vystavené širokým kolísáním teploty.
Jaké limity napětí hradla by měly být při návrhu dodržovány?
Napětí zdroje brány nesmí překročit 30 V, aby se zabránilo dielektrickému namáhání brány.
Splňuje jakékoli průmyslové testovací normy?
Splňuje normy JEDEC pro kvalifikaci a manipulaci s polovodiči.
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT129N20NM6ATMA1 N-kanálový 87 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60R180CM8XTMA1 N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T022S7XTMA1 N-kanálový 23 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT012N06NATMA1 N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení