řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-262
- Výrobní číslo:
- IPT60T065S7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
247,00 Kč
(bez DPH)
298,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 123,50 Kč | 247,00 Kč |
| 20 - 198 | 111,275 Kč | 222,55 Kč |
| 200 - 998 | 102,505 Kč | 205,01 Kč |
| 1000 - 1998 | 95,095 Kč | 190,19 Kč |
| 2000 + | 85,34 Kč | 170,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-262
- Výrobní číslo:
- IPT60T065S7XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IPT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IPT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7 se může pochlubit nejnižšími hodnotami Rdson pro HV SJ MOSFET s výrazným zvýšením energetické účinnosti. Vestavěný teplotní senzor zvyšuje přesnost a robustnost snímání teploty spoje při zachování snadné a bezproblémové implementace. CoolMOS S7 je optimalizován pro statické spínání a vysokoproudé aplikace. Ideálně se hodí pro polovodičová relé, návrhy jističů a usměrnění vedení v topologiích SMPS a měničů. Nový teplotní senzor vylepšuje vlastnosti S7 a umožňuje co nejlepší využití výkonového tranzistoru.
Technologie CoolMOS S7 umožňuje nejnižší RDS(on) při nejmenších rozměrech
Optimalizovaný cenový výkon v nízkofrekvenčních spínacích aplikacích
Vysoká schopnost pulzního proudu
Bezproblémová diagnostika na nejnižší úrovni systému
Funkce snímání teploty pro ochranu a optimalizované využití tepelného zařízení
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T022S7XTMA1 Typ N-kanálový 23 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60R180CM8XTMA1 Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT129N20NM6ATMA1 Typ N-kanálový 87 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT014N08NM5ATMA1 Typ N-kanálový 331 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT029N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení