řada: IPT MOSFET IPT60R180CM8XTMA1 Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-259
- Výrobní číslo:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
221,07 Kč
(bez DPH)
267,495 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 44,214 Kč | 221,07 Kč |
| 50 - 95 | 41,99 Kč | 209,95 Kč |
| 100 - 495 | 38,928 Kč | 194,64 Kč |
| 500 - 995 | 35,816 Kč | 179,08 Kč |
| 1000 + | 34,432 Kč | 172,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-259
- Výrobní číslo:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IPT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 119W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IPT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 119W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Platforma Infineon CoolMOS 8. generace je revoluční technologie pro vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET, navržená podle principu superjunction(SJ) a poprvé vyvinutá společností Infineon Technologies. Řada CoolMOS CM8 600V je nástupcem CoolMOS 7. Spojuje výhody rychle spínaného SJ MOSFETu s vynikající snadností použití, např. nízkou tendencí k vyzvánění, implementovanou rychlou tělesovou diodou pro všechny výrobky s vynikající odolností proti tvrdé komutaci a vynikající schopností ESD. Extrémně nízké spínací a vodivé ztráty CM8 navíc ještě více zefektivňují spínací aplikace.
Vhodné pro topologie s tvrdým i měkkým spínáním
Snadné použití a rychlý design díky nízké tendenci zvonění
Zjednodušená správa tepla díky naší pokročilé technice připevnění matrice
Vhodné pro širokou škálu aplikací a výkonových rozsahů
Řešení se zvýšenou hustotou výkonu umožněná použitím výrobků s menšími rozměry
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T022S7XTMA1 Typ N-kanálový 23 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT129N20NM6ATMA1 Typ N-kanálový 87 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT014N08NM5ATMA1 Typ N-kanálový 331 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT029N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení