řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 169 A 80 V Infineon, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-2794
- Výrobní číslo:
- IPT029N08N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
237,12 Kč
(bez DPH)
286,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 82 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 118,56 Kč | 237,12 Kč |
| 50 - 98 | 107,94 Kč | 215,88 Kč |
| 100 - 248 | 98,675 Kč | 197,35 Kč |
| 250 - 998 | 91,265 Kč | 182,53 Kč |
| 1000 + | 84,72 Kč | 169,44 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2794
- Výrobní číslo:
- IPT029N08N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 169A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PG-HSOF-8 | |
| Řada | IPT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 169A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PG-HSOF-8 | ||
Řada IPT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon je N-kanálový MOSFET 80 V a je ideální pro vysokofrekvenční spínání a synchronizované usměrňování. Je kvalifikován podle normy JEDEC pro cílové aplikace. Tento MOSFET je plně kvalifikován podle normy JEDEC pro průmyslové aplikace a je bez obsahu halogenů podle normy IEC61249 2 21.
V souladu s RoHS
Bezolovnatá povrchová úprava
Vynikající nabíjení hradla
Velmi nízký odpor při zapnutí
100% lavinový test
Související odkazy
- řada: IPT MOSFET IPT029N08N5ATMA1 Typ N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET Typ N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT012N06NATMA1 Typ N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT014N08NM5ATMA1 Typ N-kanálový 331 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60R180CM8XTMA1 Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T022S7XTMA1 Typ N-kanálový 23 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení