STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB Typ N-kanálový 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

130,66 Kč

(bez DPH)

158,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
1 - 4130,66 Kč
5 - 9123,99 Kč
10 - 24111,64 Kč
25 - 49100,53 Kč
50 +95,84 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
792-5814
Výrobní číslo:
STGW80H65DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

469W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

20.15mm

Řada

H

Normy/schválení

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy