STMicroelectronics IGBT STGW40H65DFB Typ N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

147,71 Kč

(bez DPH)

178,73 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 56 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 873,855 Kč147,71 Kč
10 - 9872,00 Kč144,00 Kč
100 - 49869,90 Kč139,80 Kč
500 +68,295 Kč136,59 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
792-5795
Výrobní číslo:
STGW40H65DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

283W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

20.15mm

Normy/schválení

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Řada

H

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed