IGBT STGW40H65DFB N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

147,71 Kč

(bez DPH)

178,73 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 32 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 14. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 873,855 Kč147,71 Kč
10 - 9872,00 Kč144,00 Kč
100 - 49869,90 Kč139,80 Kč
500 +68,295 Kč136,59 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
792-5795
Výrobní číslo:
STGW40H65DFB
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

40 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

283 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy