IGBT STGW60H65DFB N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 792-5802
- Výrobní číslo:
- STGW60H65DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
121,52 Kč
(bez DPH)
147,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 600 jednotka(y) budou odesílané od 01. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 121,52 Kč |
| 5 - 9 | 115,35 Kč |
| 10 - 24 | 103,74 Kč |
| 25 - 49 | 93,61 Kč |
| 50 + | 88,67 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5802
- Výrobní číslo:
- STGW60H65DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 80 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 650 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 375 W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 80 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 375 W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- IGBT STGW60H65DFB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT STGW40H65FB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT STGW40H65DFB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT NGTB40N65FL2WG N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT AFGHL40T65SQ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 30 Jednoduchý
- IGBT AFGHL50T65SQD N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 30 Jednoduchý
- IGBT AFGHL40T65SQD N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 30 Jednoduchý
- IGBT IKW50N65ES5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 30kHz 1 Jednoduchý