STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 168-7096
- Výrobní číslo:
- STGW60H65DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 150 kusů a ušetřete 134,55 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 201,01 Kč
(bez DPH)
2 663,22 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 73,367 Kč | 2 201,01 Kč | - |
| 150 - 270 | 72,47 Kč | 2 174,10 Kč | 134,55 Kč |
| 300 + | 71,581 Kč | 2 147,43 Kč | 535,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7096
- Výrobní číslo:
- STGW60H65DFB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | H | |
| Výška | 20.15mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada H | ||
Výška 20.15mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGW60H65DFB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGW40H65DFB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGW40H65FB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT STGWA80H65DFBAG 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor