STMicroelectronics IGBT STGW40H65FB N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 792-5805
- Výrobní číslo:
- STGW40H65FB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
203,28 Kč
(bez DPH)
245,96 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 470 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 101,64 Kč | 203,28 Kč |
| 20 - 98 | 89,445 Kč | 178,89 Kč |
| 100 - 198 | 79,89 Kč | 159,78 Kč |
| 200 + | 68,605 Kč | 137,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5805
- Výrobní číslo:
- STGW40H65FB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 283W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 20.15mm | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Řada | H | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 15.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 283W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 20.15mm | ||
Šířka 5.15mm | ||
Řada H | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 15.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT STGWA80H65DFBAG 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGW40H65DFB Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGW60H65DFB Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz