IGBT modul FP50R12KT3BOSA1 75 A 1200 V, Modul

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

4 214,05 Kč

(bez DPH)

5 099,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
1 - 44 214,05 Kč
5 - 94 129,59 Kč
10 - 993 830,72 Kč
100 - 2493 510,12 Kč
250 +3 240,64 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7403
Výrobní číslo:
FP50R12KT3BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

75 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

280 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul Infineon IGBT má napětí emitu kolektoru 1200 V a nepřetržitý proud kolektoru 50 A DC. Má měděnou základní desku pro optimalizovaný šíření tepla a konstrukci modulu s nízkou rozptýlenou indukcí. Tento modul IGBT je k dispozici s rychlým TRENCHSTOP IGBT3 a NTC.

Tepelný odpor
Vysoká spolehlivost
Vysoká hustota výkonu
Nízké spínací ztráty
Koncept kompaktního modulu

Související odkazy