Infineon IGBT modul F3L150R12W2H3B11BPSA1 75 A 1.2 kV, Modul, počet kolíků: 8 kolíkový Panel
- Skladové číslo RS:
- 273-7367
- Výrobní číslo:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 5 kusů a ušetřete 140,30 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
1 408,10 Kč
(bez DPH)
1 703,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1 408,10 Kč | - |
| 5 - 9 | 1 380,04 Kč | 140,30 Kč |
| 10 - 99 | 1 280,25 Kč | 1 278,50 Kč |
| 100 - 249 | 1 173,36 Kč | 23 474,00 Kč |
| 250 + | 1 083,24 Kč | 81 215,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7367
- Výrobní číslo:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 75A | |
| Typ produktu | IGBT modul | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500W | |
| Typ balení | Modul | |
| Typ montáže | Panel | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.75V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 16.4mm | |
| Normy/schválení | UL (E83335), RoHS | |
| Délka | 62.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 75A | ||
Typ produktu IGBT modul | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500W | ||
Typ balení Modul | ||
Typ montáže Panel | ||
Počet kolíků 8 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.75V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 16.4mm | ||
Normy/schválení UL (E83335), RoHS | ||
Délka 62.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Modul IGBT Infineon má napětí 1200 V VCES, nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 75 A, 3úrovňový modul IGBT s fázovou nohou s aktivní neutrální bodovou svorkou 2, NTC, vysokorychlostní IGBT H3 a technologií Press FIT Contact. Tento modul IGBT je vhodný pro 3úrovňové aplikace.
V souladu s RoHS
Vysokorychlostní IGBT H3
Nízké spínací ztráty
Vhodné pro solární aplikace
Související odkazy
- Infineon IGBT modul F3L150R12W2H3B11BPSA1 75 A 1200 V počet kolíků: 8 kolíkový Panel
- Infineon IGBT modul 75 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon IGBT modul FP50R12KT3BOSA1 75 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon IGBT modul 69 A 1200 V počet kolíků: 8 kolíkový Panel
- Infineon IGBT modul DDB6U75N16W1RBOMA1 69 A 1200 V počet kolíků: 8 kolíkový Panel
- Infineon IGBT N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V počet kolíků: 28 kolíkový 6 Panel
- Infineon IGBT modul 75 A 1200 V 7
- Infineon IGBT FS50R12KT3BPSA1 N-kanálový Společný emitor 75 A 1200 V počet kolíků: 28 kolíkový 6 Panel