IGBT modul F3L150R12W2H3B11BPSA1 75 A 1200 V, Modul

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 906,89 Kč

(bez DPH)

3 517,34 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 26. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 42 906,89 Kč
5 - 92 849,15 Kč
10 - 992 642,90 Kč
100 - 2492 422,58 Kč
250 +2 236,09 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7367
Výrobní číslo:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

75 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

500 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul IGBT Infineon má napětí 1200 V VCES, nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 75 A, 3úrovňový modul IGBT s fázovou nohou s aktivní neutrální bodovou svorkou 2, NTC, vysokorychlostní IGBT H3 a technologií Press FIT Contact. Tento modul IGBT je vhodný pro 3úrovňové aplikace.

V souladu s RoHS
Vysokorychlostní IGBT H3
Nízké spínací ztráty
Vhodné pro solární aplikace

Související odkazy