Infineon IGBT modul DDB6U75N16W1RBOMA1 69 A 1200 V, Modul, počet kolíků: 8 kolíkový Panel

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*

14 898,048 Kč

(bez DPH)

18 026,64 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 22. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
24 - 96620,752 Kč14 898,05 Kč
120 +569,016 Kč13 656,38 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7360
Výrobní číslo:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

69A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

335W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

8

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

IEC61140, EN61140

Výška

16.4mm

Délka

62.8mm

Šířka

33.8 mm

Automobilový standard

Ne

Můstkové moduly diod Infineon s brzdovým chopperem a NTC pro kompaktnější konstrukci měniče. Má opakované špičkové zpětné napětí 1600 V a maximální přední proud RMS 65 A na čip.

Tepelný odpor

Vnitřní izolace Al2O3

Celkový rozptýlení výkonu 335 W

15 A nepřetržitý směrový proud stejnosměrného proudu

Související odkazy