IGBT modul DDB6U75N16W1RBOMA1 69 A 1200 V, Modul

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*

20 526,816 Kč

(bez DPH)

24 837,456 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 19. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
24 - 96855,284 Kč20 526,82 Kč
120 +783,999 Kč18 815,98 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7360
Výrobní číslo:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

69 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

335 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Můstkové moduly diod Infineon s brzdovým chopperem a NTC pro kompaktnější konstrukci měniče. Má opakované špičkové zpětné napětí 1600 V a maximální přední proud RMS 65 A na čip.

Tepelný odpor
Vnitřní izolace Al2O3
Celkový rozptýlení výkonu 335 W
15 A nepřetržitý směrový proud stejnosměrného proudu

Související odkazy