IGBT modul F3L150R12W2H3B11BPSA1 75 A 1200 V, Modul

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 15 kusech)*

35 519,445 Kč

(bez DPH)

42 978,525 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
za kus*
15 - 902 367,963 Kč35 519,45 Kč
105 +2 170,619 Kč32 559,29 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7366
Výrobní číslo:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

75 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

500 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul IGBT Infineon má napětí 1200 V VCES, nepřetržitý stejnosměrný kolektorový proud 75 A, 3úrovňový modul IGBT s fázovou nohou s aktivní neutrální bodovou svorkou 2, NTC, vysokorychlostní IGBT H3 a technologií Press FIT Contact. Tento modul IGBT je vhodný pro 3úrovňové aplikace.

V souladu s RoHS
Vysokorychlostní IGBT H3
Nízké spínací ztráty
Vhodné pro solární aplikace

Související odkazy