IGBT modul FP50R12KT3BOSA1 75 A 1200 V, Modul

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

34 323,98 Kč

(bez DPH)

41 532,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
za kus*
10 - 903 432,398 Kč34 323,98 Kč
100 +3 147,546 Kč31 475,46 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-7402
Výrobní číslo:
FP50R12KT3BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

75 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Maximální ztrátový výkon

280 W

Typ balení

Modul

Typ montáže

Montáž do panelu

Modul Infineon IGBT má napětí emitu kolektoru 1200 V a nepřetržitý proud kolektoru 50 A DC. Má měděnou základní desku pro optimalizovaný šíření tepla a konstrukci modulu s nízkou rozptýlenou indukcí. Tento modul IGBT je k dispozici s rychlým TRENCHSTOP IGBT3 a NTC.

Tepelný odpor
Vysoká spolehlivost
Vysoká hustota výkonu
Nízké spínací ztráty
Koncept kompaktního modulu

Související odkazy