Infineon IGBT modul 75 A 1200 V 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

21 379,33 Kč

(bez DPH)

25 868,99 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 +2 137,933 Kč21 379,33 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
244-5834
Výrobní číslo:
FP50R12KE3BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

75A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon Pd

280W

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

FP50R12KE3

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovité napětí emitoru kolektoru je 1200 v a toatální rozptyl výkonu je 280 W, maximální prahové napětí brány je 6.5 V.

Vnitřní izolace základní izolace (třída 1, IEC 61140)

Napětí Peak emitoru hradla + /- 20 V.

Napětí nasycení vysílače kolektoru 2.30 V.

Svodový proud vysílače-kulisy 400 na

Související odkazy