Infineon IGBT modul FP100R12KT4BOSA1 1200 V 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 961,39 Kč

(bez DPH)

4 793,28 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 13 961,39 Kč
2 - 23 882,35 Kč
3 +3 494,06 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-5380
Výrobní číslo:
FP100R12KT4BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon Pd

515W

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

FP100R12KT4

Výška

17mm

Délka

122mm

Šířka

62 mm

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovitý opakovaný kolektor Peak je 200 A a kolektor emitor nasycení voltag 2.20 v, hradlo prahové napětí je 6.4 V.

Vypínací proud kolektoru-emitoru 1.0 mA

Teplota za spínacích podmínek 150 °C.

Svodový proud vysílače-kulisy 100 na

Kapacita zpětného přenosu 0.27 NF

Související odkazy