Infineon IGBT modul FP25R12W2T4B11BOMA1 1200 V 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 252,54 Kč

(bez DPH)

1 515,57 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 9 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 11 252,54 Kč
2 - 41 227,59 Kč
5 +1 105,08 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-5391
Výrobní číslo:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

175W

Počet tranzistorů

7

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

FP25R12W2T4B11B

Normy/schválení

RoHS

Délka

51mm

Výška

12mm

Šířka

42.5 mm

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovitý opakovaný kolektor Peak je 50 A a maximální kolektor emitor saturace voltag 2.25 v, hradlo prahové napětí je 6.4 V.

Vypínací proud kolektoru-emitoru 1.0 mA

Teplota za spínacích podmínek 150 °C.

Svodový proud vysílače-kulisy 400 na

Kapacita zpětného přenosu 0.05 NF

Související odkazy