IGBT modul FP25R12W2T4B11BOMA1 39 A 1200 V 7

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 15 kusech)*

19 892,325 Kč

(bez DPH)

24 069,72 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
za kus*
15 - 151 326,155 Kč19 892,33 Kč
30 +1 259,815 Kč18 897,23 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
244-5389
Výrobní číslo:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

39 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

+/-20V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon

175 W

Modul igbt Infineon maximální jmenovitý opakovaný kolektor Peak je 50 A a maximální kolektor emitor saturace voltag 2.25 v, hradlo prahové napětí je 6.4 V.

Vypínací proud kolektoru-emitoru 1.0 mA
Teplota za spínacích podmínek 150 °C.
Svodový proud vysílače-kulisy 400 na
Kapacita zpětného přenosu 0.05 NF

Související odkazy