Infineon IGBT modul FP50R12KE3BOSA1 75 A 1200 V 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 953,95 Kč

(bez DPH)

3 574,28 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 12 953,95 Kč
2 - 42 894,59 Kč
5 +2 605,36 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-5835
Výrobní číslo:
FP50R12KE3BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

75A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

280W

Počet tranzistorů

7

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Řada

FP50R12KE3

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovité napětí emitoru kolektoru je 1200 v a toatální rozptyl výkonu je 280 W, maximální prahové napětí brány je 6.5 V.

Vnitřní izolace základní izolace (třída 1, IEC 61140)

Napětí Peak emitoru hradla + /- 20 V.

Napětí nasycení vysílače kolektoru 2.30 V.

Svodový proud vysílače-kulisy 400 na

Související odkazy