Infineon IGBT modul 1200 V, EconoPIM 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tác po 10 kusech)*

21 869,38 Kč

(bez DPH)

26 461,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 20 jednotka(y) budou odesílané od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
10 +2 186,938 Kč21 869,38 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
244-5851
Výrobní číslo:
FP75R12KT4BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon Pd

385W

Typ balení

EconoPIM

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Šířka

62.5mm

Řada

FP75R12KT4B

Výška

17mm

Délka

122mm

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovité napětí emitoru kolektoru je 1200 v a toatální rozptyl výkonu je 355 W, maximální prahové napětí brány je 6.5 V.

Vnitřní izolace základní izolace (třída 1, IEC 61140)

Napětí Peak emitoru hradla + /- 20 V.

Napětí nasycení vysílače kolektoru 2.15 V.

Svodový proud vysílače-kulisy 400 na

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.