Infineon IGBT modul FP75R12KT3BOSA1 1200 V, EconoPIM 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 655,85 Kč

(bez DPH)

4 423,58 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 11. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 13 655,85 Kč
2 - 23 582,49 Kč
3 +3 224,83 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-5844
Výrobní číslo:
FP75R12KT3BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon Pd

355W

Typ balení

EconoPIM

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

FP75R12KT3B

Normy/schválení

RoHS

Výška

17mm

Šířka

62 mm

Délka

122mm

Automobilový standard

Ne

modul igbt Infineon je vhodný pro pomocné měniče, motorové pohony, servopohony, lékařské aplikace atd.

Elektrické vlastnosti

Nízké ztráty při spínání

Tvj op = 150 °C.

VCEMSAT s kladným teplotním koeficientem

Nízké napětí VCEsat

Mechanické vlastnosti

Vysoký výkon a možnost tepelného cyklování

Integrovaný snímač teploty NTC

Měděná základní deska

Kontaktní technologie pressfit

Standardní skříň

Související odkazy