Infineon IGBT modul FP75R12KT4BOSA1 1200 V, EconoPIM 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 251,76 Kč

(bez DPH)

3 934,63 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 17. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 13 251,76 Kč
2 - 43 186,55 Kč
5 +2 867,92 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-5854
Výrobní číslo:
FP75R12KT4BOSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon Pd

385W

Typ balení

EconoPIM

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.15V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

62.5 mm

Délka

122mm

Řada

FP75R12KT4B

Normy/schválení

RoHS

Výška

17mm

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovité napětí emitoru kolektoru je 1200 v a toatální rozptyl výkonu je 355 W, maximální prahové napětí brány je 6.5 V.

Vnitřní izolace základní izolace (třída 1, IEC 61140)

Napětí Peak emitoru hradla + /- 20 V.

Napětí nasycení vysílače kolektoru 2.15 V.

Svodový proud vysílače-kulisy 400 na

Související odkazy