Infineon IGBT modul 1200 V 7

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tác po 15 kusech)*

12 214,155 Kč

(bez DPH)

14 779,125 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 15 jednotka(y) budou odesílané od 17. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
15 - 15814,277 Kč12 214,16 Kč
30 +773,571 Kč11 603,57 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
244-5392
Výrobní číslo:
FP25R12W2T4BOMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

7

Maximální ztrátový výkon Pd

175W

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.25V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

FP25R12W2T4B

Délka

51mm

Výška

12mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Modul igbt Infineon maximální jmenovitý opakovaný kolektor Peak je 50 A a maximální kolektor emitor saturace voltag 2.25 v, hradlo prahové napětí je 6.4 V.

Vypínací proud kolektoru-emitoru 1.0 mA

Teplota za spínacích podmínek 150 °C.

Svodový proud vysílače-kulisy 400 na

Kapacita zpětného přenosu 0.05 NF

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.